日晶科技原隶属于化学工业部第一设计院，从事改良西门子法提纯多晶硅技术攻关及科研工作已有十二年历史。经过近几年的不断摸索及技术创新，并吸收了意大利及德国的改良西门子法技术，优势组合后，创新出一套低成本建设优化改良西门子法工厂的第三代电子极多晶硅生产技术。本公司独创的优化改良西门子法技术一般采用9对和12对棒电子极 氢还原炉,除传统的温度控制外,增加了三氯氢硅进气孔进气速率与沉积时间相应的可调式装置,使硅蕊硅棒在不同的沉积时间及温度条件下炉体内的还原反应自动调节在最佳状态,使硅棒的沉积外表及产品质量得到升华.所生长出的原生硅棒纯度在9N以上，电阻率可达N型300-1500欧姆,碳含量小于：1.5 x 1016at/cm3.
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日晶科技原隶属于化学工业部第一设计院，从事改良西门子法提纯多晶硅技术攻关及科研工作已有十二年历史。经过近几年的不断摸索及技术创新，并吸收了意大利及德国的改良西门子法技术，优势组合后，创新出一套低成本建设优化改良西门子法工厂的第三代电子极多晶硅生产技术。本公司独创的优化改良西门子法技术一般采用9对和12对棒电子极 氢还原炉,除传统的温度控制外,增加了三氯氢硅进气孔进气速率与沉积时间相应的可调式装置,使硅蕊硅棒在不同的沉积时间及温度条件下炉体内的还原反应自动调节在最佳状态,使硅棒的沉积外表及产品质量得到升华.所生长出的原生硅棒纯度在9N以上，电阻率可达N型300-1500欧姆,碳含量小于：1.5 x 1016at/cm3.